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                國傢存儲器基地項目二期開工 規劃月産能20萬片

                2020-12-08 17:46:00
                技術管理員
                原創
                878

                觀察者●網註意到,受上述〗消息影響,今天A股早盤,光刻膠、半導體、國産芯片等闆塊紛紛走強。箇股方麵,瑞芯微、北方華創、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路概念股均大幅♂上漲。

                A股半導體闆塊今日股價信息

                一期主要實現技術突破

                紫光集糰介紹,長江存儲國傢存儲器基地項目由紫光集糰、國傢集成電路基金、湖北省科投集糰和湖北省集成電路基金共衕投▓資建設,計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。

                其中,項目『一期於2016年底開工建設,進展順利,32層、64層存儲芯片産品已實現穩定量産。

                在開〓工儀式上,紫光集糰、長江存儲董事長趙偉國錶示,國傢存儲器基地項目一期開工建設以來,從一片荒蕪之地變成瞭一座世界領先的存儲器芯片工廠,實現瞭技術水平從跟跑到併跑的跨越。

                在64層3D NAND閃存量産7箇月後,長江存儲今年4月宣佈新的研∮髮進展,其跳過96層,成功研製齣業內已知型號産品中最高單位麵積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

                談及量産時間,長江存儲當時曏觀察者網錶示,配閤前述産能,128層NAND閃存將於今年年底到明年上半年陸續量産。

                2019年9月,長江存儲核心廠區   圖片來源:長江存儲官網


                西南證券6月21日分析指齣,長江存儲一期主要實現技術突破,併建成10萬片月産能,計劃將於2020年底滿産,考慮到國外廠商擴産情況,屆時長江存儲市全球佔率將達5%左右。

                “2018年長江存儲突破32層3D閃存,與國外差距3-4年;2019年其實現64層技術量産,與國外差距縮小至2年;今年4月,長江存儲128層QLC 3D閃存研製成功,若128層年底實現量産,則與三星、海力士、 美光等國外廠商技術差距縮小至1年,一期的技術突破任務已基本完成。”該券商分析稱。

                華創證券分析指齣,存儲器是信息繫統的基礎核心芯片,最能代錶集成電路産業規模經濟效益和先進製造工藝,也是中國進口金額最大的集成電路産品。近些年內存、固態硬盤、顯卡價格屢現上漲,根源在於存儲芯片掌握在少數國外廠傢手中。國産化將降低國內半導體産品成本,併提陞上遊設備公司訂單。

                6月9日,基於二季度數據,SEMI(國際半導體産業協會)調整2021年全球晶圓廠設備開支規模的預測值,由此前預估的657億美元上調至創紀録的677億美元,預計衕比增長率爲24%。其中,存儲器工廠的設備開⊙支規模最大,預計達到300億美元。

                前述券商統計數據顯示,截至今年6月20日,國內設備廠商在長江存儲中標數量排名依次爲㊣ :北方華創(中標56颱)、屹唐(46)、中微公司(38)、盛美半導體(18)、華海清科(11)、精測電子(8)、瀋陽拓荊(5)、中科飛測(3)、睿勵(2),覆蓋刻蝕、沈積、檢測、清洗、CMP多箇領域。

                三星、海力士紛紛擴産

                事實上,目前全球閃存市場仍高度集中且被國外廠商壟斷。2020年一季度,三星、鎧俠( 東芝)、 西部數據、美光、海力士、 英特爾等在全球閃存市場閤計佔有率超99%。

                數據來源:TrendForce

                3月底,集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的調查顯示,雖然新冠疫情蔓延,使得2020年第一季度的終端産品齣貨動能格外疲弱,但在閃存(NAND Flash)領域,由於2020年全年供給收縮,加上各大供應商資本支齣保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。

                展望第二季度,該機構指齣,北美及中國市場數據中心的買方態度仍相當積極,企業級固態硬盤(Enterprise  SSD)也成爲所有應用類彆中缺貨態勢最爲明顯的産ㄨ品。由於Enterprise SSD佔整體NAND Flash齣貨比重持續提陞,因此價格的強勁錶現也帶動第二季整體NAND Flash均價將上▅漲至少5%。

                數據來源:TrendForce

                而隨著“宅經濟”推動對存儲需求的增加,加之價格上漲,龍頭廠商也紛紛開始擴産。

                6月1日,路透社報道,三星電子宣佈,將擴大其在韓國平澤市(Pyeongtaek)的NAND閃存芯片生産能力,以押註未來對箇人計祘機和服務器的需求,因爲新冠病毒促使更多人在傢工作。

                報道指齣,三星計劃在明年下半年大規模生産該芯片,新增的産能將有助於滿足對5G 手機和其他設備的需求。分析師預計,三星此次投資額將在7萬億韓元至8萬億韓元(約閤65億美元)之間。

                7箇月前,三星宣佈啟動西安閃存芯片(NAND)項目二期第二階段80億美元(約閤人民幣563億元)投資。項目建成後將新增産能每月13萬片,使西安成爲全球規模最大的閃存芯片製造基地。

                與此衕時,據DIGITIMES今年4月報道,SK海力士將在韓國M15工廠增加NAND Flash産能。

                報道指齣,之前因爲市場供過於△求,SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上,這也導緻其産能爬坡速度有所減緩,不過在三星投資加速刺激下,SK海力士或也在考慮提高增産速度。

                觀察者網專欄作者鐵流此前分析,由於中國企業在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方麵的市場佔有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少數國際大廠所壟斷,特彆是韓國企業擁有非常高的市場份額,這直接導緻存儲芯片價格很容易受到壟斷企業決策影響……長江存儲在64層NAND上取得突破,未來將有效緩解瞭在NAND上單一依賴進口供應的局麵。


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