一、氮♀化镓快充市场规模

也正是得益于这些性能优势，氮化镓在消费类快充电源市场中有着广泛的应用※。充电头网统计←数据显示，目前已有数十家主流电源厂商开辟ぷ了氮化镓快充产品线，推出的氮化镓快充新品多达数百款。

华为、 小米、 OPPO、魅族、 三星、中兴、努比亚、魅族、 Realme、 戴尔、联想等多家【知名 手机/笔电品牌╲也先后入局。

另有数据显示，在以电商客户为主的充电器市场，2019年氮化镓功率器¤件出货量约为300万-400万颗，随着手机以及笔记本电⌒　脑渗透率进一步提升，2020年将实现5-6倍增长，总体出货1500-2000万颗，2021年GaN器件的出货量有望达到5000万颗。预计2025年全球GaN快充市场规模将达到600多亿元，市场前■景异常可观。

二、氮化镓快充的主要芯片

据了解，在氮化镓快充产品的设计中，主要需要用到三颗核心芯片，分别氮化镓控制ω器、氮化镓〗功率器件以及 快充协议控制器。目前氮化镓功率器〇件以及快充协议芯片均已陆续实现了国产化；而相比之下，氮化镓控制芯片的研发就成了□　国产半导体厂商的薄弱的环节，氮化镓控制器主要依赖进口，主动权也一直掌握→在进口品牌手中。

这主要是因◎为GaN功率器件驱动电压范围很窄，VGS对负压敏感，器件开启电压阈▃值（VGS-th）低1V~2V左右，极易受干扰】而误开启。所以相较传统硅器件而言，驱动氮化镓的驱动器和控制器需要解决更多的技术∞难题。

此外，目前市面◥上除了少数内置驱动电路的GaN功率器件对外部驱动器要求较低之外，其他大多数GaN功率器件均需要借助外部驱动电路。

没有内置驱动电路而又要保☉证氮化镓器件可靠的工作并发挥出它的优异性能，除了需要对驱动电路的高速性能和驱动功耗做重点▼优化，还必须让驱动器精准稳定的输出驱动电压，保障器件正确关闭与≡开启，同时需要严格控制主回路上因开关产生的负压对GaN器件〖的影响。

三、全套国产芯片氮化镓快充问世

东莞市瑞亨电子科技有限公司近日成功量◣产了一款65W氮化镓快充充电器，除了1A1C双口以及折叠插●脚等常规的配置外，这也是业界首款基于国产氮化镓控制芯片、国产氮化镓功率器件、以及╳国产快充协议芯片开发并正式量产的产品。三大核心芯片分别来自南芯半导体、英诺赛科和智融科技√。

充电头网进一步①了解到，瑞亨65W 1A1C氮化♀镓快充充电器内置的三颗核心芯片分别为南芯的主控芯片SC3021A、英诺赛科→氮化镓功率器件INN650D02，以及智融二次★降压+协议识♀别芯片SW3516H。

该充电器支持100-240V~ 50/60Hz输入和双口快▽充输出，配备最大输出※65W的USB-C接口，以及最大30W输出的USB-A接口。

瑞亨65W 1A1C氮化镓快充整机尺寸约为53*53*28mm，功率密度可达0.83W/mm3，与 苹果61W充电器修昂相比，体积约缩㊣小了三分之一。

ChargerLAB POWER-Z KT001测得该充电器的USB-A口支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP、PE等协议。

USB-C口支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、SCP、PE、PD3.0 PPS等协议。

PDO报文显示充电器的USB-C口支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A、3.3-11V 5A。

四、氮化镓快充三大核心芯片自主可控

南芯总部位」于上海。南芯SC3021A满足各类高频QR快充需求，采用专有的GaN直驱设计，省去外置驱动器或者分立驱动器件；集成分段式供电模⊙式，单绕组供电，无需复杂的供电电路；内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能，集成了X-cap放电功能；SC3021A最高支持170KHz工作频率，适用于□绕线式变压器，SC3021B最高支持260KHz工作频率，适用于平面变压器。

初级侧氮化镓开关管来自英诺赛科，型号INN650D02 ，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要①求，这是整个产品的☆核心元器件。

INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热◣阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。

英诺赛科总部在珠海，在珠海、苏州均有生产基地。据了解，INN650D02 “InnoGaN”开关↘管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。

目前，英诺赛科已经在苏州建成了全球最大⌒　的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导▃体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产8英寸▼硅基氮化镓晶圆65000片，产品将为5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件。

英诺赛科InnoGaN系列氮化镓芯片已经开始〗在消费类电源ζ　市场大批量出货，成功进入了努比亚、魅族、Lapo、MOMAX、ROCK、飞频等众多知名品牌快充供应链，并『且均得到良好的市场反馈，成为全球GaN功率器件出货量最大的】企业之一。

智融总部位于珠海。智融SW3516H是一款高集成度的多快∮充协议双口充电芯片，支持A+C口任意ぷ口快充输出，支持双口独立︽限流。

其集成了 5A 高效率同步降压变换器，支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低压直充等多种快充协议，CC/CV 模式，以及双口管「理逻辑。

外∩围只需少量的器件，即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。

五、行业意义

在快充电←源的更新迭代中，氮化镓功率▅器件凭借其高频低阻、高导热、耐高温等特性，越来越被行█业关注，并逐渐成为了消费类电源市场的全╲新发展方向。

氮化镓快充三大核心芯片全面国产，一方面是在当前中美贸易摩擦的大背景下，避免关键技术︻被掐脖子；另一方面，国产半导体厂商可以充分发挥本→土企业的优势，进一步□　降低氮化镓快充的成本，并推动高密度快充卐电源的普及。在未来的市场争夺战中，全国产的氮化镓快充方案也将成为颇具实力的选手。

相信在不久之●后，氮化镓快充产品的价︾格将会逐渐平民化，以普通硅充电器的价格购买到全新氮化镓快充的愿景也将成为¤可能。